(亞太專遞)東芝公司開發出新一代節能磁阻內存(MRAM)
新華社東京6月11日電(記者樂紹延)日本東芝公司宣佈開發出新一代節能磁阻內存(MRAM),有望大幅降低智能手機等移動電子設備的能耗,改變消費者使用電子設備的方式。
東芝公司說,新型磁阻內存由採用磁性記憶信號的材料和將微弱信號增強的特殊電路等積集而成。磁阻內存集成了靜態內存(SRAM)的高速讀寫性能與閃存的非易失性,它可以作為一個單一的存儲器件,用於既需要快速、大量存儲數據,又需要斷電後保持數據,並可快速恢復的系統中。
東芝公司採用這種新型節能內存試製出了用於智能手機等移動電子設備的中央處理器。結果表明,採用這種新型磁阻內存的智能手機等電子設備比採用現有的靜態存取器至少要省電20%以上,今後還有望進一步提高其節能性,大幅減少電能消耗。
磁阻內存具有記錄密度大、訪問速度快、極省電、可反復使用、不易丟失數據五大優點,是手機等移動電子設備存儲器最有前景的替代產品,有望能較好地解決包括計算機、手機等啟動慢、數據裝載緩慢、容易丟失以及電池壽命短等問題。(完)