中國自主建成首條高端ＩＧＢＴ芯片生產線打破國外壟斷

新華社長沙６月２２日電（記者陽建

謝立言）中國首條８英寸絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ）專業芯片生產線近日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成。

業內人士認為，這標誌著中國在被認為是電力電子行業“皇冠上的明珠”的關鍵技術上實現重大突破，打破了國外在高端ＩＧＢＴ芯片技術上的長期壟斷，對推動節能減排、培育戰略性產業、保障經濟安全具有重大戰略意義。

“為了實現‘ＩＧＢＴ’國產化之夢，中國南車集合了上百位專家，經過２０年的艱苦研發，累計投入超過３０億元，在ＩＧＢＴ芯片設計、封裝測試、可靠性試驗、系統應用上攻克了３０多項重大難題，終於掌握了該器件的成套技術。”中國工程院院士、中國南車株洲電力機車研究所總經理丁榮軍說。

ＩＧＢＴ技術的研發、製造、應用是衡量一個國家科技創新和高端製造業水準的重要標誌，包括芯片、模塊、封裝、檢測和應用等多項技術。其中，芯片技術含量最高，以８英寸ＩＧＢＴ芯片為例，其上面佈滿１２８塊小芯片，每塊小芯片只有指甲蓋大小，厚度僅為人體兩根頭髮絲，但其內部包含了逾６萬個稱之為“元胞”的基本單元。

作為世界功率半導體器件最先進的技術，全球第一隻ＩＧＢＴ於１９８２年出現在美國ＧＥ公司。上世紀９０年代，受到軌道交通交流傳動應用需求的強力牽引，ＩＧＢＴ技術與產品迅速發展，逐步成為交流傳動的主流器件。

儘管早在１９９６年，中國就把發展ＩＧＢＴ芯片及模塊產業化作為重點項目，但是一直未能取得實質性進展，造成全球ＩＧＢＴ技術一直被歐洲、日本等少數幾個國家所壟斷。

中國的ＩＧＢＴ芯片及其相關產品９９％以上依賴進口，國內在芯片、封裝、裝置、系統還沒有形成獨立、完整的技術體系和產業體系。特別是在１２００伏以上中高壓ＩＧＢＴ技術及產業化能力上，與國外仍有較大差距。

據了解，中國南車這條自主研發的８英寸ＩＧＢＴ生產線，首期將實現年產１２萬片８英寸ＩＧＢＴ芯片，配套生產１００萬隻ＩＧＢＴ模塊，真正實現ＩＧＢＴ的國產化。這也是全球第二條８英寸ＩＧＢＴ芯片線，將真正改變中國在電力電子器件領域受制於人的局面，同時也會大大降低該產品在國際市場的價格。

南車時代電氣ＩＧＢＴ事業部總經理劉國友告訴記者，早在２００８年中國南車並購英國丹尼克斯半導體公司，準備進軍ＩＧＢＴ市場時，國外廠商就把ＩＧＢＴ產品價格下降了２０％左右。

業內專家認為，中國掌握被稱為“大國重器”的高端ＩＧＢＴ技術並取得產業化突破，不僅是對我國高端製造技術和自主創新的認可，更具有多重戰略意義。

丁榮軍表示，為進一步整合國內ＩＧＢＴ產業從材料到應用的上、下游優勢資源，中國南車正在牽頭策劃成立中國ＩＧＢＴ技術創新與產業聯盟。同時，按照全球ＩＧＢＴ技術發展趨勢，正在研發第五代、預研第六代ＩＧＢＴ技術，以持續確保我國在ＩＧＢＴ產業上的技術支撐與核心競爭力。（完）