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新華社東京６月１日電（記者樂紹延）為了掌握大容量存儲器新技術，增強與韓國三星等公司的競爭能力，日本東芝和佳能兩家公司決定聯合研發高性能３Ｄ閃存，力爭在２０１６年投入量產。
３Ｄ閃存是下一代閃存技術，相對於２Ｄ閃存技術，３Ｄ閃存把存儲單元垂直疊加，可大幅提高存儲器容量，但對製造工藝要求更高。２０１３年，三星推出一款１２８ＧＢ的３Ｄ閃存芯片，成為首家量產３Ｄ閃存的公司。
據東芝公司官方網站披露，隨著大數據時代到來，對能夠存儲大量數據的存儲器的需求將急劇增加。為了在產業競爭中與韓國三星等公司抗衡，東芝決定與佳能公司合作，利用各自的技術優勢聯合研發。
東芝生產３Ｄ閃存的新工廠預計將於２０１５年夏季竣工，計劃從２０１６年開始批量生產３Ｄ閃存。（完）